Plazmový leptací princip

Inductively Coupled Plasma Etch (ICPE) je výsledkem kombinace chemických a fyzikálních procesů. Jeho základním principem je, že ve vakuu a nízkém tlaku je radiofrekvence generovaná ICP RF napájecím zdrojem vyvedena do toroidní vazební cívky. Smíšený leptací plyn je v určitém poměru spojen s doutnavým výbojem, čímž vzniká plazma s vysokou -hustotou. Pod vlivem RF na spodní elektrodě tato plazma bombarduje povrch substrátu a porušuje chemické vazby polovodičového materiálu ve vzorované oblasti substrátu. Tyto těkavé látky reagují s leptacím plynem za vzniku těkavých sloučenin, které se pak oddělují od substrátu jako plyny a jsou odčerpávány z vakuového potrubí.